Kenangan 3d nand: Cina akan mulai manufaktur pada 2017

Perusahaan Yangtze River Storage Technology (YRST) akan menjadi yang pertama memproduksi memori NAND 3D baru di Cina. Pembuatan wafer memori NAND 3D pertama akan dimulai pada tahun 2017 dan mereka berharap untuk menghasilkan jenis memori 32-level ini.

Mereka akan membuat 300.000 wafer memori NAND 3D

3D NANDs mampu memuat banyak lapisan memori dalam silikon yang sama, sehingga drive SSD berkapasitas lebih tinggi dapat dicapai dalam ruang yang sama. Perusahaan seperti Intel-Micron atau A-DATA sudah memiliki jenis memori ini di pasaran. Ini akan menjadi pertama kalinya pabrikan Cina mulai memproduksi memori NAND Flash dan DRAM.

Total investasi perusahaan YRST berjumlah 24.000 juta dolar untuk menyelesaikan pabrik dan sudah direncanakan untuk memperluas fasilitas pada 2018 dan fase ekspansi terakhir pada 2019. Ini dicapai tidak hanya oleh YRST itu sendiri, tetapi juga oleh investasi oleh Pemerintah Cina sendiri dan aliansi dengan perusahaan semikonduktor terkemuka XMC. Sumber juga menunjukkan bahwa ada dukungan dari Tsinghua Unigroup dengan kolaborasi Micron, sehingga tidak sedikit yang terlibat dalam bisnis ini.

YRST diharapkan dapat memproduksi sekitar 300.000 wafer per bulan, yang akan berfungsi untuk memenuhi permintaan yang terus meningkat akan memori NAND yang digunakan dalam SSD dan Smartphone. Berita ini penting karena akan membantu menurunkan biaya unit jenis ini dalam jangka menengah. Satu langkah lagi untuk mulai menghentikan hard drive yang telah bersama kami selama beberapa dekade.