Micron berbicara tentang jeda dengan intel tentang nand

Micron telah berbicara tentang alasan di balik perpisahan dengan Intel terkait kolaborasi dalam pengembangan memori NAND. Januari lalu, Intel dan Micron mengumumkan bahwa persatuan mereka dalam pengembangan memori NAND akan segera berakhir, dan kedua perusahaan berencana untuk terus secara independen mengembangkan teknologi NAND mereka.

Micron akan bertaruh pada teknologi Charge-Trap untuk memproduksi chip NAND-nya

Alasan di balik perpisahan ini tidak diketahui sampai sekarang, meskipun semuanya menunjukkan bahwa Intel dan Micron ingin mengambil teknologi NAND mereka dalam arah yang terpisah. Micron dan Intel menggunakan teknologi Floating Gate NAND, teknik produksi yang mereka promosikan lebih unggul daripada model Charge-Trap, yang digunakan oleh hampir semua produsen lain seperti Samsung, SK Hynix, Western Digital, dan Toshiba. Melihat ke depan ke generasi keempat, Micron berencana untuk beralih ke Charge-Trap, meninggalkan Intel sebagai satu-satunya pendukung teknologi Floating Gate.

Kami merekomendasikan membaca posting kami pada SSD terbaik saat ini SATA, M.2 NVMe dan PCIe (2018)

Sampai sekarang Micron skeptis tentang umur panjang memori NAND 3D Charg-Trap, berspekulasi bahwa data dapat hilang setelah enam bulan tanpa daya. Jadi Micron tidak percaya bahwa NAND yang dikembangkan dengan Charge-Trap dapat digunakan sebagai media penyimpanan jangka panjang yang tidak mudah menguap. Saat ini sebagian besar produsen menggunakan Charge-Trap tanpa ada tanda-tanda masalah kehilangan data, jadi Micron telah memutuskan untuk merangkul teknologi ini yang sejauh ini ditolaknya.

Terlepas dari perpisahan ini, kedua perusahaan terus bekerja sama dalam pengembangan memori XPoint, dengan rencana untuk terus mengembangkan teknologi sebagai media penyimpanan yang tidak mudah menguap, dan sebagai alternatif untuk DRAM dalam aplikasi tertentu.

Fon Overclock3d