Sk hynix mengumumkan memori baru 8gb berlari ddr4 buatan 1ynm

Raksasa memori SK Hynix telah mengumumkan pengembangan memori DRAM 8DR 1Ynm DDR4, yang berarti dapat diproduksi menggunakan litografi 14nm dan 16nm. Chip baru ini menawarkan peningkatan produktivitas 20% dibandingkan dengan generasi sebelumnya 1Xnm dan juga peningkatan konsumsi daya lebih dari 15%.

RAM Hynix 1Ynm 8Gb DDR4 SK Baru

SK Hynix 8Gb 1Ynm DDR4 DRAM mendukung kecepatan transfer data hingga 3.200 Mbps, yang menurut perusahaan adalah kecepatan pemrosesan data tercepat pada antarmuka DDR4. SK Hynix telah mengadopsi skema '4-fase timing', yang menduplikasi sinyal clock untuk meningkatkan kecepatan dan stabilitas transfer data.

Kami sarankan Anda membaca artikel kami tentang RAM Memories dengan heatsink atau tanpa heatsink

SK Hynix juga memperkenalkan teknologi " Sense Amp Control " yang dikembangkan sendiri untuk mengurangi konsumsi daya dan kesalahan data. Dengan teknologi ini, perusahaan mampu meningkatkan kinerja penguat sensorik. SK Hynix memperbaiki struktur transistor untuk mengurangi kemungkinan kesalahan data, sebuah tantangan yang menyertai penurunan teknologi. Perusahaan juga menambahkan catu daya daya rendah ke sirkuit untuk menghindari konsumsi energi yang tidak perlu.

DRAM DDR4 1Gn dan 8Gb ini memiliki kinerja dan kepadatan optimal untuk pelanggan perusahaan, seperti yang dikatakan Wakil Presiden SK Hynix, Sean Kim. SK Hynix berencana untuk memulai pengiriman dari kuartal pertama tahun depan untuk secara aktif merespons permintaan pasar. SK Hynix berencana untuk menawarkan proses teknologi 1Ynm untuk server dan PC, dan kemudian ke aplikasi lain seperti perangkat seluler.

Font Guru3d